8086的存储器写周期

8086的存储器写周期
  d' t0 V) B+ a8 X; c% s    8086在执行将寄存器的内容存到指定的内存单元的传送指令时，进入存储器写周期。 图2．10是存储器写周期的时序图。存储器写周期和存储器读周期有三点不同。第一，DT／ R在存储器写周期为高电平，使数据收发器的数据传送方向置成指向系统数据总线(A— B)。第二，对于写周期，CPU向外输出数据，数据是CPU内部某个寄存器的内容，数据的提 供很快，所以，在地址／数据复用线切换成数据线时，这些线上就立即出现要输出的数据。第三，该周期发出写信号
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: j- q- O! a; m- X& S，读信号
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一直无效(为高电平)。 6 I7 @# U9 `/ d8 \% W6 I1 R
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        对存储器写周期时序的分析，可采用与分析存储器读周期相类似的方法，从时间和空间两个方面考虑。现有一条指令“MOV[4000H]，Ax”。假定当前DS=2000H，则目的操作数的 物理地址为24000H。该指令的功能是将Ax的内容存到地址码为24000H的内存字单元(即 地址码为24000H和24001H的两个存储单元)中。请读者自行分析这条指令的存储器写周期的执行过程。  
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