HRT-三星中文说明书

HDD REPAIR TOOL, n3 @- K" d/ P
    （HRT）" `* G- \% s( F" X0 R
专用于Samsung存储器5 k5 i; J) h2 q* P* B* y
1 }* z6 c0 S; M
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Samsung存储器详细说明
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9 y, ?' c; C! m% M0 g: w
4 F% n! k; p( d0 }" ]1 a$ F  J目录
0 I- E, r, }3 ?% \) Q8 s- @  f) E  N前言
5 Q! Z8 d  T- v  b+ W主菜单
$ j) N6 Z6 ?6 k  p存储器测试
; \6 _7 J9 Z" q9 m3 P7 o" |  k( A3 a伺服器测试  d2 U% \* j$ _3 Y3 e) F6 @
在物理转换和逻辑转换中的测试. f* m9 V3 N5 t1 D2 v
在物理转换中的测试6 I( y2 u& _8 y; ?" O' R
物理探伤法
1 D2 X0 Z8 Q8 W+ i8 S  R% }测试的特点2 N2 K) t! l. A( i6 t
存储器的重新设定
% J* @" _; Q5 f4 i5 G1 \) c磁头数量的变更
6 g7 @8 w( T7 [7 v5 ^" k& `/ j修理中推荐使用的顺序
. Y5 z- L% N! A. t+ j  [内存的工作
9 t6 ~8 V4 x( J5 S$ y数据内存的工作- A+ d/ C+ e; o8 t9 N# U* v
只读存储器的刷新
' \+ A+ }  k* J& l4 P' b6 \服务区的工作5 Y# p0 ]  y+ u3 O+ N
故障表的工作* S& t! x1 q) o
常见问题解答  
1 K: m5 f9 B* E- M, l/ N. e) a9 E& N0 e0 S. y
9 o, \6 _  f3 e6 [, I/ G
前言$ J4 d; P/ _- Y0 m0 S+ C, p8 [
在本手册中记述了与Samsung存储器相关的基本内容，为了使您能够更好的掌握书中的内容，在阅读以前推荐您先了解一下HRT体系。5 b; g5 |$ f3 X* j
主菜单! g/ K2 |: n- E, D- z: H3 B
Samsung主菜单的结构如下：8 a* G. k  v! I7 w* M  W6 D
（图见书）
1 N2 }3 h4 \$ m6 m3 F! u! J各菜单项的内容将在以下的具体阐述。8 i! u$ J) S* I! `
存储器测试7 D5 k0 e& X: e& W# e! r$ r
伺服器测试
& A( p' y4 ~1 t, [+ uSamsung存储器的伺服器测试有着这样的特点：差不多所有版本的存储器其PES（Position Error Signal）水平都相近。也就是说，对于Samsung存储器伺服器测试只能找到很粗浅的错误，并不能成为修理存储器的有效工具。  
- x2 c1 }; u) V1 {3 c
4 t6 G: c! X3 H' T# n) U4 M8 F; E
* Q3 I; G5 o8 g在物理和逻辑转换中的测试& k' m% |$ J8 u- E! n- r8 X( k
物理转换测试0 @& a) N' O* m7 J
对于Samsung存储器物理转换测试同样也是低水平的测试。他能够找到一系列扇区错误，但是在下边的逻辑转换测试中找到的错误将会比这多得多，一般情况下物理测试只能被作为一种评定方法，这样的话，物理探伤将会找到较多而不是较少数量的错误，但是执行时间将会短很多。8 w! u1 O+ e' C( k# f; f( n
物理探伤法
& Y, S- c6 c9 y4 h, O+ i. @物理探伤法与逻辑测试类似，不同的是他是在物理转换中执行的。开始的时候对磁头进行完整的测试，并记下测试持续的时间。完成第一部以后，程序会要求您设定危机时间，接下来会开始按照扇区对此磁道进行阅读，在这里所被阅读的是阅读时间超过危机时间或者测试中发现错误的磁道。
. S, C1 u' {# L: a5 H该测试的优点是速度块。但是仍有大概3－5％的错误是通过该测试找不出来的，推荐大家先进行物理探伤法测试（该测试较其他测试数度快得多），然后在进行逻辑探伤法测试（如果出现先前没有找到的错误，她的位置将会被标出来，要是没有发现更多的错误那就更好了）。/ W9 \0 E6 @: x, B& ~
测试特点
, R, P' M8 Q8 Y) M( aSamsung存储器测试的有这样一个特点：在完成对P-LIST中故障的修复以后必须通过逻辑记录测试或者快速清理程序完成表面的完全记录。, P8 [1 J+ C. R" v
注意！！！Samsung存储器的任何工作都可以看作是寄存器的集合，他可以是因为某个极小的原因引起的。作者采用的例题，就是故障表中有着关于不存在的磁头以及一些很普通的情况。作者推荐大家在总控制时进行Write测试 和Read Check。  ; c  h0 E' F# w7 ~- V
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. Q% K$ X7 R* [. D" K
存储器的重新设定: m8 u' S. g% q' v$ `3 s9 S: }
变更磁头数5 V; K, E' j0 Z; l5 |5 Q, [
为了找出在测试过程中必须停止使用的不正确磁头，必须点击菜单项Actions->Edit Head Map。点击候显示屏上会出现这样的对话框。
: @+ h) ~# _2 u4 Z（图见书）
4 O1 T7 f0 X, S7 h9 G( @列表中包含有磁头卡，上图中他们时按照升序排列的。总的来说Head列中表示的是实际物理磁头，在Pos框中表示的是伪物理磁头，伪物理磁头排列必须是没有间隙的，例如，在存储器中有不正确的实际物理磁头1（其磁头卡情况如下）。图中，磁头1对应的值为255，其余磁头对应的值为0，1，和2。总的来说，0，1，2数值可以改变，但是建议大家0磁头最好保存在0位置。为了改变Pos框中的数值必须选中所需要的行，在框中输入编辑数值，然后点击Change键就可以了。除了此以外，还需要对Heads框中的数值进行改变。Full Size Heads框中给出存储器完全格式化数量。如果自动填充失效时，您需要对手动输入数值。( v; T6 C3 ^! V( U# n0 u0 n
点击OK键，将进行存储器中参数的自动重新核算，他们将被记入到服务区中。  * ^% }) @/ W: A4 B
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( j1 n5 n4 A3 Z0 @# y5 n* T修理中推荐使用的顺序, n: X, O* i8 x6 B
为了清楚以外的错误，进行表面的快速清理程序。
# |1 N7 `! w& e% M7 A5 I% }3 B, n进行物理探伤程序。如果被查处的错误不多，对其进行修复。如果错误数目众多，那么从工作中删除最不稳定的磁头，或者减少最大物理柱面。
: C1 g" q5 ?4 C7 `" u如果修复了任何一处错误，进行快速清理程序。- B6 x$ A5 s3 i  x( g2 s# L
完成逻辑探伤程序。
& T/ R7 V: \+ X% n7 `/ P, f. Z4 h如果修复了任何一处错误，进行快速清理程序。
, f7 u' B2 x, f. V( l( x2 v/ \, F必要的话，返回到第四部。
) W; \+ w* E2 n  S进行逻辑测试，确信所有的错误均被修复（推荐使用Write和Read＋Check程序）。
% Q7 p! j8 [9 O+ g: A% b! h) |内存的工作
! t0 z! i5 W! U* ?数据内存的工作
3 X! E! F% O, ]% F( l7 F, w3 R内存的工作对于研究的目的的非常有用。但遗憾的是，Samsung存储器通过ATA通过只可以阅读数据内存。程序内存只有通过依次的端口阅读，当前系统版本中没有相关的内容。. D' M& D" m  V0 h3 v7 U
为了开始与随即存储器的工作，请点击菜单项Service->Memory->RAM Operations，这样将会在显示屏上出现如下的对话框：
& b2 Q5 w1 C7 V+ G（图见书）  
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8 j* i+ C% y: T: ?1 Q$ Z% UAddr和Length框中给出用字符表示的工作区域的起始地址（因为Samsung存储器不支持bit概念）。1 y1 B/ L& X* `+ j0 h
点击Read键，从存储器到内部缓冲器阅读内存，点击Write键，从内部缓冲器向内存记入数据。当然，在缓冲器为空时，该框将被锁定。) D' G2 G, y7 m9 G7 \7 l7 G
值得注意的是，数据的记录和阅读都可能导致存储器暂停，乃至更坏的影响。例如，加快轴心发动机运转的速度，可能导致存储器电路被烧坏。所以，请您在使用内存时一定要非常注意，只能与您确信的地址进行沟通，或者对您怀疑出现问题的存储器进行试验。
% I4 ^7 w& O$ v9 v点击Load键，读出内部缓冲器中的文档内容。点击Save键，将内部缓冲器的内容记入到文档中。这样您可以阅读缓冲器上的某部分内存，或者在外部程序的帮助下将其记入到文档中进行研究。/ F' @# O$ l  M. m  n; t- O; b
点击Dump键，打开转储窗口，通过该窗口您可以查看和编辑内部缓冲器中的数据。注意转储依旧用bit表示。6 n: c, Y' I- i% G0 K' Q) v+ b
因为Samsung存储器不允许通过ATA通道，所以Program Memory框在此没有意义。; a+ F9 S- ~2 N$ `
只读存储器的刷新
: o# x& ], k1 ]: r" ]为了刷新只读存储器，请点击菜单Actions->Update Flash->Permanent。并不是所有的存储器都支持Temporary版本。你会被建议选择用于安装的文档名称。
2 F5 H4 l7 g* \5 C8 _8 d注意！！！如果您选择了不适用的安装，那么存储器将肯定会出现错误！！！为了进行修复，需要将只读存储器脱离，并将其安装到程序中去。操作时请注意谨慎！
  z9 [( z2 C: f2 v% J对于变更分区或者其他的一下活动，需要对只读存储器进行重新安装。因为存储器的大部分参数时被记载只读存储器当中的。% ^3 e# g6 \$ k# e3 f4 r
对于系统的典型安装存在与资源子目录中。" T( d2 d: ^7 o" F6 A$ C
值得注意的是，只读存储器不准确的阅读是Samsung存储器非常多见的问题。并且，经常有助于只读存储器的安装。- p- M0 A. j- v+ F! W3 r" E4 [  _$ B, F
服务区的工作2 n. I2 y% s) u( p/ s% \
通常服务区位于0－7柱面之间，4，5柱面经常是未被格式化的，所以对他们必须通过Make Defect组对他们进行错误标记。其他的柱面，按照HRT系统综合使用手册上说讲的使用对话框Service->Full Fireware。$ Z' ^9 U) o$ v, Y
故障表的工作$ v0 {$ F' I. D* p. |$ `. F
对于Samsung存储器，只有P G-LIST,P-LIST,G-LIST和Logical工作模式有意义，其他的都不可以使用。( x& j* w3 A# i! k3 N* j; q
G-LIST只能用于查看和清除，不同在其中加入内容。
9 L6 A. o+ Q3 T7 r% ?常见问题解答
3 n! f! q) b: D) S; R. I问：我对存储器进行了重新设定。基本上他工作正常，但是在SMART测试以后总会发出异常的声音。8 ^: f9 t( J. Z: T+ G% \0 Z
答：检查您是否正确的输入了存储器完全格式化的尺寸。通常，在存储器中有双磁头的BMB，而在重新设定以后，他将会表示为四磁头，这时候存储器会开始发出异常声音。在完全格式化存储器中变更磁头数，异常声响将会中止。  5 l  M5 s! |0 A1 q& B! j# E* T( t" `4 p7 i

+ q& u1 B$ w, G2 Q
6 P/ [1 J0 H1 y% r5 t问：我减少了存储器中柱面的数量，但是程序还是给出以前的数值。
+ k2 U0 o( x6 i; f2 `7 ^# x' ^答：Samsung存储器不能准确的知道当前物理柱面的数量，IBM存储器也是如此。   / X0 Q# O9 B9 u# [& A/ I

0 ~4 a0 A$ Y% U" n* U. p7 v- {
, p% d6 Y- [# I4 O3 t" _9 {问：在进行故障探伤时，程序为我设定的游标限制我觉得不合适，我想放宽限制可不可以？
  H& T# A1 v0 ?5 V& d答：您可以手动的输入任何数值，游标控制限制将会自动修正。  ! v3 M$ ]5 Y2 H

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' n* w4 F. a2 w: x  v问：危机时间的自动计数器工作不正常，图表表示在上端，可危险时间设定的很低
2 J( L9 {* H! H. \& L答：一切都很正常，图表中记录的是对于大扇区的最大时间。实际上，这样的扇区总共才有1－2个，其他的上千个小扇区处在很低的位置。自动计算器不是表示的最大值（在图表中的），而是现实情况。在图表中把所有类容表示出来非常困难，一个是将花费大量的时间，同时图表将会占据整个屏幕。  & M  n0 E8 J& u% O  @

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6 @6 T: c3 Z0 [- C/ I! X$ r问：在进行《快速清理》的时候，我的电脑断电了，现在存储器一直处于密码锁定状态，我该怎么办？
7 J4 s' l$ I! `# T! r答：1。进入手动输入对话框，输入EC指令，点击Go->Buf
+ d5 B, A) q0 f7 ], X# P    2。进入转储，清除所有缓冲器，点击鼠标右键，选择Fill项，马上点击OK，安装所有必须的参数，然后推出转储。
: K7 N" j$ v7 W/ h) L    3．在Helper窗口中选择SECURITY Unlok，点击Get From Ini，Go->Buf。在Helper窗口中点击SECURITY Disable Passward，点击Get From INI Go<-Buf。