内存颗粒编号问题

星星之光

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1^# 大中小发表于 2007-6-19 21:01 只看该作者

内存颗粒编号问题

问：请教下高手我的内存是威刚的DDR400万紫千红可是用软件CPU-Z看内存颗粒编号没有显示我在仔细一看出厂日期和序列好也全是空白上面就写了一个内存模块厂商的名字请教高手告诉我到底怎么看内存的真假。

答：整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 - S9 ?% ?% l, Y4 P3 e: h1 ^
. b4 o! a* e  p! M) G; Z
颗粒编号解释如下： . k, }& a( E' p# H

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 6 z6 O/ S1 p9 ]0 X# f

2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 8 k3 s8 u6 {5 D% V0 Z
1 s* h8 V& w. a
3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V &;amp; VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &;amp; VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V &;amp; VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V &;amp; VDDQ=1.8V）
% Y/ ~7 z9 w% [( ?3 ^9 Y# V
4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） / n- {' ?0 D* F9 k: w" Z; U( O
+ K% X. A4 i% j9 c, c
5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） ; f- ^6 W( a9 H9 `# k. D* O/ A5 u  t

6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） , _) {4 I' _# }: v# Z& H) U5 U& ?
. e8 ~6 n6 B' f: e& n
8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
# @# G- G4 P9 G& A0 H3 G
11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&;amp;T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） , _7 K$ U! P/ {! q$ a2 q
5 A! U' r+ n3 X9 q4 I* i
12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅卤素） & l& W( F% ]5 I# E" L8 ]1 M: \
: @* y7 G8 |9 W1 g5 x5 ]8 i
13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） . i- Y7 y6 T, J! |
. S3 P; u0 E/ j+ e: S, Y% o5 R
14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） : y0 V/ Q! e; a

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。 6 n4 o+ h* I8 V& m' j9 R: d: t

常见SDRAM 编号识别
4 f/ C3 I# O, z+ j$ [  L
维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。 ( V) g8 I- M7 `& M$ ]9 ^) F
(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 现代 7 X8 I- z- e7 s
▲ MT Micron ------- 美光 ( m7 ~: Y# O2 n, x7 C; T8 w
▲ GM LG-Semicon 7 O* |; M" T: O5 N
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子 * }* _+ p  l4 z) e7 m9 K" }" Y6 \, l
▲ HM Hitachi ------ 日立 % L) T$ t7 G4 X+ S
▲ MB Fujitsu ------ 富士通 % e) E4 G# `# q8 V7 h8 c: n
▲ TC Toshiba ------ 东芝 8 w2 W; K" L/ ]$ J9 K: T3 j
▲ KM Samsung ------ 三星 7 O9 m( t4 `+ Q8 x% O
▲ KS KINGMAX ------ 胜创
(2)内存芯片速度编号解释如下:
★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. 3 r+ ~- {5 q3 X( I
★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. , t! K1 e% H* Z* u4 @2 t" N
★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns. 5 m! `  B; V; @
★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. " k4 e- P) U) D) [6 _
★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns. 0 A# Q* {9 ]5 u8 a# y+ S
(3) 编号形式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj 6 J  U' k. U  ~1 u
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM. % h' n+ h' D8 r0 Y# r( C7 I5 y
b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示带宽。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2. ' ^, S9 ^3 Z+ O  y& p/ k- y6 ?6 _
g表示版本号，B—第三代。 * L8 J( J6 F$ w6 w9 }
h表示电源功耗， L—低功耗；空白—普通型。
ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H. , O) i: t* B! X
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。   S" t8 B& y2 C4 I8 {
例：1） HY57V651620B TC-75 0 r$ y# }% [# Q4 `
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7 3 a; J& _8 g6 d; q4 O
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ * |+ ^; @  n- L9 d
+ B3 R+ k" P% E" n. p8 W' G/ g1 [

全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)： / ~7 u8 Z1 T+ W( D. P+ s6 }

序号品牌国家/地区标识备注
1 三星韩国 SAMSUNG 9 ]& P( R* L/ ]4 }: t/ O
2 现代韩国 HY
3 乐金韩国 LGS 已与HY合并 8 Q- E* w. N9 A1 l0 |9 q
4 迈克龙美国 MT
5 德州仪器美国 Ti 已与Micron合并
6 日电日本 NEC . w2 @! }/ ]% l$ J* R2 @5 E& y
7 日立日本 HITACHI
8 冲电气日本 OKI
9 东芝日本 TOSHIBA " F/ z- t- w0 D- }! Z
10 富士通日本 F
11 西门子德国 SIEMENS 3 }8 Z  S( a3 m- o$ `
12 联华台湾 UMC
13 南亚台湾 NANYA 7 C9 ~) b+ F8 Z! A! Y3 Y- c
14 茂矽台湾 MOSEI

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