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怎样为内存超频？

问：怎样为内存超频？我是256 512MB（DDR400），谢谢！  l5GE"BPA/\!s

5yJf)F?&^D8[#z&M 答：一：关于内存超频与设置的基础知识 N)yaZR%d

g3qHE)k*z:K 在我们进行内存的选购之前，我们要对影响内存性能的一些基本知识进行一个了解，下面这十点，使笔者通过反复论证得到的结果，请大家务必了解。 5QQd!PY!Wu{7[5z*}
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1、对内存的优化要从系统整体出发，不要局限于内存模组或内存芯片本身的参数，而忽略了内存子系统的其他要素。
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2、目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双 P-Bank 的内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单 P-Bank 还是双 P-Bank 呢？就目前市场上的产品而言 ，256MB 的模组基本都是单 P-Bank 的，双面但每面只有 4 颗芯片的也基本上是单 P-Bank 的，512MB 的双面模组则基本都是双 P-Bank的。
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3、页面数量的计算公式为： P-Bank 数量 X4，如果是 Pentium4 或 AMD 64 的双通道平台，则还要除以 2。比如两条单面 256MB 内存，就是 2X4=8 个页面，用在 875 上组成双通道就成了 4 个页面。 D;Y9XN9Yk|+E

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KY M&sgHR;K 4、CL、tRCD、tRP 为绝对性能参数，在任何平台下任何时候，都应该是越小越好，调节的优化顺序是 CL → tRCD → tRP。 :YE9r2D0_1I
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5、当内存页面数为 4 时 ，tRAS 设置短一些可能会更好，但最好不要小于 5。另外，短 tRAS 的内存性能相对于长 tRAS 可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感。
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"nLP K3R;\n'O 6、当内存页面数大于或等于 8 时，tRAS 设置长一些会更好。
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7、对于 875 和 865 平台，双通道时页面数达到 8 或者以上时，内存性能更好。
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g mx{c3E_ 8、对于非双通道 Pentium4 与 AMD 64 平台，tRAS 长短之间的性能差异要缩小。 -~.f/aT)Fuh P

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@+vGrr[i\5O 9、Pentium4 或 AMD 64 的双通道平台下 ，BL=4 大多数情况下是更好的选择，其他情况下 BL=8 可能是更好的选择，请根据自己的实际应用有针对的调整。 Dgm3U'o)j(J
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qp\ 10、适当加大内存刷新率可以提高内存的工作效率，但也可能降低内存的稳定性。 \4v9~&AB+HvP
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二、BIOS中内存相关参数的设置要领
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Automatic Configuration“自动设置”（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable） W#w3^&kh.pf
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可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。
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1{yX:F8F4G Bank Interleaving（可能的选项：Off/Auto/2/4）
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这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。
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b{L*E:Iu Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）
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一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定。
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%a:_I,P7| ua CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项：1.5/2/2.5/3） )e H%^a/G
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BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。
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Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）
hm HO5A ^i J2Ln3kB(H
这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长 。目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的ScienceMark 2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。 H+gs1aP?6ZW

'[;o3Ab+J]Z Cxxb RAS Precharge Time “行预充电时间”（可能的选项：2/3/4） v#o%F%Y?^|_

NF`7N @)N BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。 %Y\&A+ULFq5@
Z&w4S.S)n\ mJ$c3Q
RAS-to-CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5） O$s-ds[V[h!a
m0e#?g^J c-P
BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。
,O(Fp K%F0Hw7Z r~T?u%VPB
Active to Precharge Delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项：1……5/6/7……15） 5U.nV{X6N@+t

CUcCL%u"[N%Y BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根据上文的分析，这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。 6f#Z@K,V

;Z8PC0Qf6}"pI2fR8D 三、认清影响内存性能的关键 a0m)W)X'}2g

SG/f BF*o"ZQ,l:I!@5D 在讲完 SDRAM 的基本工作原理和主要操作之后，我们现在要重要分析一下 SDRAM 的时序与性能之间的关系，它不再局限于芯片本身，而是要从整体的内存系统去分析。这也是广大 DIYer 所关心的话题。比如 CL 值对性能的影响有多大几乎是每个内存论坛都会有讨论，今天我们就详细探讨一下。这里需要强调一点，对于内存系统整体而言，一次内存访问就是对一个页 （Page）的访问。由于在 P-Bank 中，每个芯片的寻址都是一样的，所以可以将页访问“浓缩”等效为对每芯片中指定行的访问，这样可能比较好理解。但为了与官方标准统一，在下文中会经常用页来描述相关的内容，请读者注意理解。
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可能很多人还不清楚页的概念，在这里有必要先讲一讲。从狭义上讲，内存芯片芯片中每个 L-Bank 中的行就是页，即一行为一页。但从广义上说，页是从整体角度讲的，这个整体就是内存子系统。
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[8O9^ Z1TV)A3E 对于内存模组，与之进行数据交换的单位就是 P-Bank 的位宽。由于目前还没有一种内存芯片是 64bit 位宽的，所以就必须要用多个芯片的位宽来集成一个 P-Bank。如我们现在常见的   [/b]

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